Đặc tính điện tử của điốt p–n (p–MgIn0.05GaN/n–In0.05GaN) trước và sau khi ủ nhiệt được chế tạo bằng phương pháp phún xạ vật lí RF
Abstract:
Bài báo giới thiệu một số nghiên cứu của
nhóm trong việc thiết kế và chế tạo mô hình của điốt p–
n (p-Mg-In0.05GaN/n-In0.05GaN/), bằng phương pháp
phún xạ vật lí RF. Vật liệu bán dẫn InGaN với thành
phần In chiếm 5% cùng với các hợp chất của chúng, bao
gồm các lớp bán dẫn loại n và loại p có pha tạp thêm
10% hàm lượng Mg. Các lớp màng của điốt có độ dày
được tìm thấy ở mức dưới 1 µm bằng phép đo kính hiển
vi điện tử (SEM). Điốt sau đó được ủ với nhiệt độ là 400
oC trong môi trường khí N2. Những đặc tính của điốt
trước và sau khi ủ nhiệt được khảo sát bằng đặc tuyến
dòng– thế (I–V) với các điều kiện nhiệt độ khảo sát thay
đổi. Bên cạnh đó, phương pháp Cheungs cũng được áp
dụng để tính toán và so sánh các thông số của điốt, bao
gồm: dòng điện rò rỉ, điện thế ngưỡng, rào điện thế, điện
trở, chỉ số lý tưởng n...